усилитель низкой частоты транзисторе

---

Задача AAAel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
1	1,2	10	30	5

.

Решение

---

Задача AABel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
2	5,6	15	80	6

.

Решение

---

Задача AACel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
3	4,3	9	15	3

.

Решение

---

Задача AADel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
4	2,0	12	45	7

.

Решение

---

Задача AAEel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
5	1,5	6	30	3

.

Решение

---

Задача AAFel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
6	2,4	14	50	9

.

Решение

---

Задача AAGel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
7	1,8	11	25	7,5

.

Решение

---

Задача AAHel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
8	3,6	8,5	40	2,4

.

Решение

---

Задача AAIel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
9	1,6	7,5	60	5,1

.

Решение

---

Задача AAJel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
10	3,2	13	85	4,5

.

Решение

---

Задача AAKel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
11	7,5	12	65	8

.

Решение

---

Задача AALel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
12	8,2	16	50	10,2

.

Решение

---

Задача AAMel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
13	10,5	12	28	4,4

.

Решение

---

Задача AANel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
14	12,0	16	65	11,4

.

Решение

---

Задача AAOel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
15	9,4	12	40	7,4

.

Решение

---

Задача AAPel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
16	4,8	8,6	25	2,6

.

Решение

---

Задача AAQel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
17	10,2	11,8	80	4,5

.

Решение

---

Задача AARel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
18	8,6	14	55	7,5

.

Решение

---

Задача AASel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
19	10,5	10,5	35	5,4

.

Решение

---

Задача AATel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
20	5,6	9	42	4,7

.

Решение

---

Задача AAUel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
21	1,2	10	30	8

.

Решение

---

Задача AAVel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
22	10,5	12	28	5

.

Решение

---

Задача AAWel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
23	12,0	16	65	12

.

Решение

---

Задача AAXel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
24	10,2	11,8	80	5

.

Решение

---

Задача AAYel

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальный сдвиг базы в режиме покоя задается током резистора R_Б. Даны параметры R_К, Е_К и h_21Э. Рассчитать значения R_Б так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было заданное напряжение U_КЭ.

Вариант	RК, кОм	ЕК, В	h21Э	UКЭ, В
25	8,6	14	55	9

.

Решение

---

Задача AEWel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
2	1100	85	6×10–5	5,5	4,2	3,8

.

Решение

---

Задача AEYel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
4	640	55	12×10–5	6	5	14

.

Решение

---

Задача AEZel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
5	980	80	8×10–5	3	4,8	0,8

.

Решение

---

Задача AFAel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
6	860	120	5×10–5	5	10	1,2

.

Решение

---

Задача AFBel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
7	1000	90	9×10–5	4	8	3

.

Решение

---

Задача AFCel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
8	540	100	4×10–5	3,5	3,6	2,4

.

Решение

---

Задача AFDel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
9	950	60	11×10–5	6	5,4	28

.

Решение

---

Задача AFEel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
10	880	110	7×10–5	3,8	4,2	12

.

Решение

---

Задача AFFel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
11	660	75	6×10–5	4,6	6,4	5,5

.

Решение

---

Задача AFGel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
12	1200	125	5×10–5	12	8,5	8,4

.

Решение

---

Задача AFHel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
13	750	45	4×10–5	50	12	11

.

Решение

---

Задача AFIel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
14	920	60	9×10–5	14	4,4	24

.

Решение

---

Задача AFJel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
15	800	85	7×10–5	18	5,6	15

.

Решение

---

Задача AFKel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
16	680	130	8×10–5	4,5	7,5	6

.

Решение

---

Задача AFLel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
	17	1050	50	5×10–5	33	4,6

.

Решение

---

Задача AFMel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
18	580	35	4×10–5	15	3,7	60

.

Решение

---

Задача AFNel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
19	900	95	6×10–5	5	2,8	14

.

Решение

---

Задача AFOel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
20	840	105	9×10–5	4,4	10	5

.

Решение

---

Задача AFPel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
21	800	130	9×10–5	15	2,8	24

.

Решение

---

Задача AFQel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
22	950	60	11×10–5	50	12	3

.

Решение

---

Задача AFRel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
23	1200	120	4×10–5	5	3,6	0,8

.

Решение

---

Задача AFSel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
24	580	85	5×10–5	4,8	10	14

.

Решение

---

Задача AFTel

В схеме транзисторного усилителя низкой частоты с общим эмиттером заданы параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э транзистора, сопротивления R_Н, R_К, а также напряжение входного сигнала U_ВХ. Рассчитать напряжение выходного сигнала U_вых.

Вариант	h11Э, Ом	h21Э	h22Э, Ом –1	RH, кОм	RК, кОм	UВХ, мВ
25	640	100	12×10–5	8	3,8	3,8

.

Решение

---

Задача AGVel

Нарисуйте амплитудно-частотную характеристику RL фильтра верхних частот и опишите, как он работает.

Решение

---